激励功率（Drive Level）过大会导致无源晶振使用寿命缩短，严重时导致晶振停振。
　　激励功率属于无源晶振（晶体谐振器）本身的一个重要电气参数。激励功率的大小主要与无源晶振的封装尺寸及石英晶片内阻有关。
　　在无源晶振的起振电路中，芯片提供的激励功率过大可能会导致石英晶片振幅变大，因此过多的热量产生导致石英晶片振动区域的温度升高。石英晶片本身则产生梯度性温度攀升，直接破坏频率稳定度。由于晶片机械性变形程度可能会超出弹性极限，造成晶格不可恢复性的位移，造成晶振输出频率永jiu性频偏。更严重的情况下，石英晶片振碎，导致晶振彻底不起振（停振）。
　　根据晶振应用领域的不同，我们应该根据芯片数据手册选择正确的激励功率。一般情况下，便携式电子产品主要以电池供电为主，在晶振选型时宜选择低功耗的小体积晶振。功耗越低意味着激励功率越小。需要指出的是，我们切不可为了加速晶振起振时间或试图改变晶振输出频率的高低，而任意改变电路输给晶振的激励功率的大小。